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高温栅偏试验系统

系统能满足各种封装形式的MOSFET、IGBT等器件的高温栅偏试验。

产品详情

     系统可进行室温+ 10°C-200C的高温栅偏老化测试,老化过程中实时监测被测器件的漏电流状态、被测器件的电压状态,并根据需要,记录老化试验数据,导出试验报表。

产品参数

适用器件:

      各种封装的二极管、三极管、场效应管、可控硅、IGBT等器件进行高温反偏试验 (HTRB)和高温栅偏试验(HTGB)

试验温度:

      (环境温度+20)°C~+200°C;分辨率≤0.1°C;温度均匀性:±1.0°C;温度偏差:±1.0°C at +100°C,±1.5°C at +200°C;

温度波动度:

      ±0.1°C at +100°C,±0.2°C at +200°C;单腔内部尺寸≥600*600*600(mm),总内容积≥216L;带可程序设计计时控制开关装置,双重超温保护功能。

试验通道:

      16个试验通道(试验区8区,电源8台,提供老化板16块)

试验容量:

      80位*16板=1280位

电源规格:

      电压60V(软件支持HTGB+/HTGB-实验切换)

基本功能:

断电保护:

      如突然断电;工控机会有UPS确保试验数据的安全保存,同时记录断电时间。此时,报警灯会提醒断电(直至UPS电源耗尽),系统电源切断。当再次来电时,整机不会自动启动,直至人工干预再继续工作。

远程监控:

      能远程监控,可在手机端查询实时数据并可进行相关控制操作。

系统功能:

      试验每通道电压/工位漏电流检测/试验箱温度检测;老化板插板状态检测;驱动板通信状态检测;每工位高压击穿保护(每工位串联一个快熔陶瓷保险丝);具备测试数据自动生成可编辑试验报告,报表采用 EXCEL格式;可实时监控每工位漏电流并描绘出漏电曲线;支持入网,可Web 端远程监控。

产品特点

      将被测量元件放置在一定的环境温度中,给被测元件的栅极施加一定的偏置电压。同时测控系统实时检测每个材料的漏电流、电压,并根据预先设定,当被测材料实时漏电流超过设定值时,自动切断被测材料上的电压,可以保护被测元件不会进一步烧毁。

示意图
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