无损检测服务 失效分析检测 环境可靠性试验
高温栅极偏置测试是针对MOSFET管（或IGBT）等最重要的实验项目。在高温环境下对栅极长期施加电压会促使栅极的性能加速老化，且MOSFET的栅极长期承受正电压，或者负电压，其栅极的门槛值VGSth会发生漂移。
测试条件：
标准：
IEC60747-9；JESD22-A108F
